技术编号:15177309
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及石墨烯新材料及其化学气相沉积(CVD)制备技术,具体为一种高质量单层多晶石墨烯的制备方法,适于制备高质量单层多晶石墨烯薄膜。背景技术:石墨烯是紧密堆积成二维蜂窝状晶体结构的单层碳原子晶体,是构建其他维度炭材料的基本单元。这种严格的二维晶体材料具有极好的电学、热学、力学和光学性能,如:室温下其电子迁移率高达200,000cm2/V·s,热导率高达5000W·m-1·K-1,杨氏模量高达1TPa,可见光吸收率仅为2.3%。石墨烯这些优异的性能使其可望在多功能纳电子器件、透明导电膜、复合材料...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。