技术编号：15181792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种用于金属有机化学气相沉积反应器中的基片托盘的结构。背景技术当前LED已经成为越来越重要的照明光源，而用于生产LED芯片的金属有机化学气相沉积反应腔(MOCVD)也得到长足发展。其中MOCVD反应器也可以用来生产氮化镓(GaN)的半导体功率器件，相比现有技术中通常采用的硅基的功率器件，氮化镓具有高击穿电压、高效率和开关频率高等诸多优点，因此具有很好的市场前景。如图1a所示为现有技术的MOCVD 反应器结构，反应器包括反应腔10，反应腔底部包括一个中空的...
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