技术编号:15182790
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请属于LED技术领域,特别是涉及一种高出光率的LED芯片和高出光率LED器件。背景技术目前,LED芯片的光提取效率已经成为限制LED发光效率的主要因素。为了提高GaN基LED的光提取效率,在p型GaN层表面通常设置一层电流传输层,以提高LED芯片的电流扩散能力。但是,仍会有很大部分的光被不透光的电极阻挡,从而限制了光的提取效率。发明内容本发明的目的在于提供一种高出光率的LED芯片和高出光率LED器件,以克服现有技术中的不足。为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:本申请实施例公开一种高出光率...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。