技术编号:15202670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造工艺领域,特别涉及一种熔丝结构及其形成方法。背景技术随着半导体工艺水平的改进以及集成电路复杂度的提高,芯片的尺寸正在持续增加,半导体元器件也变得更加容易受到硅晶体缺陷或杂质的影响,而单个元器件如晶体管或存储单元的失效,往往会导致整个集成电路的功能失效。为了解决这个问题,常见的方法是在集成电路中形成一些可以熔断的连接线,也就是熔丝(fuse)结构,以确保集成电路的可用性。一般而言,熔丝结构用于连接集成电路中的冗余电路(redundancy circuit),如果在工艺后...
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