技术编号：15213087
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器(TVS)结构。背景技术随着工艺尺寸的缩小，片上集成电路的防护等级越来越弱，而电压和电流的瞬态干扰无时不在，随时会给设备带来致命损害，对瞬态电压抑制器的需求和依赖随之增加。应用在数据接口电路中的瞬态电压抑制器，电容是至关重要的参数，电容太大会衰减传输信号，因此浪涌能力强电容小的保护器件需求日益紧迫。浪涌能力和电容都与器件的面积成正比，这两个参数对保护器件的设计提出了挑战。在比较常见的TVS器件结构里，如图1所示，所形成的TVS...
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