技术编号：15219525
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种接触孔的刻蚀方法。背景技术现有的半导体工艺中，例如32nm的闪存制备工艺中，制备接触孔采用的方法是，在晶圆表面形成光刻胶，通过曝光显影后形成具有刻蚀图案的光阻，然后采用一次刻蚀在晶圆表面形成接触孔。但是，这样形成的接触孔会存在严重的缺陷。由于采用的是一次刻蚀的工艺，为了保证接触孔的充分刻蚀，往往需要采用较长的过刻蚀时间，但是过刻蚀时间越长，就意味着光阻和晶圆受到的损伤越大，从而使得接触孔产生弯曲条纹状的缺陷。发明内容针对上述问题，本发明提出了一种接触孔的刻蚀...
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