技术编号:15219632
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路,特别涉及一种具有HKMG的PMOS。背景技术HKMG具有高介电常数(HK)的栅介质层以及金属栅(MG),故本领域中通常缩写为HKMG。如图1所示,是现有具有HKMG的PMOS的结构图,现有具有HKMG的PMOS的HKMG包括栅介质层和金属栅108,所述栅介质层包括高介电常数层102。所述高介电常数层102的材料包括二氧化硅(SiO2),氮化硅(Si3N4),三氧化二铝(Al2O3),五氧化二钽(Ta2O5),氧化钇(Y2O3),硅酸铪氧化合物(HfSiO4),二氧化...
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