技术编号:15231572
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及黑磷场效应管领域,尤其是涉及到黑磷场效应管的双材料氧化层结构。背景技术迄今为止,传统的Si-CMOS器件已经用于半导体工业。但是现在由于一些挑战和局限性,要跟上摩尔定律是非常困难的。许多研究表明,导体型的黑磷可以用作场效应管的沟道材料,黑磷场效应管将成为CMOS器件的有力竞争者。相比于硅基材料,黑磷场效应管在器件内部电子的输运机制近似于弹道输运,黑磷场效应管能获得更高的驱动电流,更快的响应速度,以及功耗的显著下降。因此黑磷场效应管具有超出硅管的卓越性能,有相当的工业应用前景。在场效应管...
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