技术编号:15231650
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及一种磁性薄膜电感器结构。背景技术半导体制作工艺的不断发展已使得制造商及设计者能够创造更小且更强大的电子装置。半导体装置制作已由1971年左右达到的10微米半导体制作工艺发展到2012年左右达到的22纳米半导体制作工艺。预期半导体装置制作将在2019左右进一步发展到5纳米半导体制作工艺。随着半导体制作工艺的每次进展,集成电路的组件已变得更小以使得能够在半导体衬底上制作更多组件。然而,随着半导体制作工艺的每次进展,在创造集成电路方面已发现了新的挑战。一种此类挑战涉及以更新的半导体工艺...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。