技术编号：15234357
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2015年12月28日提交的美国专利申请No.14/980,850的权益。技术领域本申请涉及晶体管器件，并且更具体地涉及具有减小的寄生电容和沟道效应的纳米线器件。背景技术在先进的工艺节点中，传统的平面晶体管架构遭受诸如过度泄漏的许多问题。结果，在这些先进的节点中通常使用诸如鳍场效应晶体管(finFET)工艺的三维架构。finFET器件中的“鳍”包括半导体衬底上的三维条。因此鳍具有邻接衬底表面的下表面和在衬底表面上方伸出的三个其余表面。然后，将栅极沉积在鳍之上，使得栅极与鳍的这三个其余表...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。