技术编号：15234403
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种层间膜(ILD)的沉积方法。背景技术层间膜主要形成于金属层之前并用于实现金属层之间的隔离，金属层之间通过穿过层间膜的接触孔或通孔连接，层间膜的均匀性对半导体器件的性能具有重要影响。在半导体集成电路中，半导体衬底如硅衬底通常采用晶体结构的圆片，故半导体集成电路制造中的衬底通常采用晶圆，层间膜通常采用化学气相沉积(CVD)工艺形成，CVD中包括等离子体加强化学气相沉积(PECVD)，现有技术中层间膜采用较多的CVD为PECVD。现有层间膜的沉积工艺...
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