技术编号:15259899
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。背景技术随着半导体器件尺寸的不断缩小,沟道长度变得越来越小,金属栅极沟槽的填充变得越来越具有挑战性。如何沟槽填充不好,栅极接触电阻将变大,这将降低器件的交流(Alternating Current,AC)性能,尤其是自对准接触工艺。目前,对于沟道长度小于30nm的器件,W金属栅极沟槽填充窗口几乎变为零,没有W填充到PMOS器件的栅极沟槽中,因此栅极电阻变大,这将增加反相器(inverter)的延迟时间(delay tim...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。