技术编号:15260145
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电存储材料技术领域,具体涉及一种基于MEH-PPV、PFO、P-PPV的电双稳特性单层聚合物存储器及其制备方法。背景技术现代信息社会所产生的数据飞速增长,要求存储器应具有更大的存储容量。目前广泛应用的硅存储器虽然具有快速存储的特点,但昂贵的制造设备、复杂的光刻工艺和周边晶体管驱动电路增加了制造成本,并且硅片有限的面积和二维(2D)工艺限制了存储容量,已经不能满足信息时代大容量信息存储和便携式的要求。人们通常采用增加存储单元的集成密度等物理手段来提高存储器的存储容量,但是目前使用的硅CM...
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