技术编号:15274687
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2012年12月31日提交的美国临时申请号61/747,613;2013年3月15日提交的美国临时申请号61/793,999;2013年3月15日提交的美国临时申请号61/790,445以及2013年3月15日提交的美国临时申请号61/788,744的优选权,其中每一个通过引用并入到这里。技术领域本公开内容通常涉及具有降低的应变的半导体异质结构的制备,并且特别地,涉及具有半导体衬底的异质结构,其顺应具有与衬底不同的晶格常数的表面层,从而形成相对低缺陷的异质结构。背景技术包括具有器件质量...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。