技术编号:15276987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,更具体地涉及用于远程等离子体处理的室调节。背景技术用各种材料填充接触孔、沟槽线和其他特征是半导体制造工艺的不可分割的一部分。例如,为了形成水平互连、相邻金属层之间的通孔、第一金属层和器件之间的接触,可以使用化学气相沉积(CVD)技术来沉积诸如钨之类的金属。在传统的沉积工艺中,在沉积室中将衬底加热到预定的工艺温度,并沉积用作晶种或成核层的含钨材料的薄层。之后,剩余的含钨材料(体层)沉积在成核层上。常规地,通过用氢气(H2)还原六氟化钨(WF6)来形成含钨材料。含钨材料被沉...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。