技术编号:15277258
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。相关申请的交叉引用本申请基于在2012年5月29日提交的日本专利申请No.2012-121503并且要求其优先权的权益,其公开通过引用以其整体被并入在此。技术领域本发明涉及半导体器件和半导体器件的制造方法。例如,本发明涉及包括绝缘栅型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法,该绝缘栅型场效应晶体管具有垂直晶体管结构。背景技术用于锂离子(Li+)电池保护的CSP(芯片尺寸封装)型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)(EFLIP:用于锂离子电池保护的生态倒装芯片MOSFET)的开发已经从过去开始...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。