技术编号:1529419
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在此讨论的实施方案涉及制造化合物半导体器件的方法和洗涤剂。背景技术近年来,已积极地开发出电子器件(化合物半导体器件),其中GaN层和AlGaN层顺序设置在衬底上,GaN层用作电子传输层。所述化合物半导体器件的实例是基于GaN的高电子迁移晶体管(HEMT)。在基于GaN的HEMT中,利用AlGaN和GaN之间异质结面上产生的高浓度二维电子气(2DEG)。GaN的带隙是3. 4eV并大于Si的带隙(I. IeV)和GaAs的带隙(I. 4eV)。也就是说,Ga...
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