技术编号:1529880
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种MOCVD设备的清洁方法。背景技术目前,金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)工艺是一种常见的用于形成第III族元素和第V族元素化合物的工艺。MOCVD工艺通常是在一个具有较高温度的MOCVD反应腔内进行,所述MOCVD反应腔内通入有包含第III族元素的第一反应气体和包含有第V族元素的第二反应气体,且所述MOCVD反应腔内的基座上具有基片,所述第一反应气体和第二反应气体在较高温度的基片表面进行反应,在所述基片表面形成...
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