技术编号：15308481
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置，具体为涉及一种具有半导体开关以及齐纳二极管(Zener Diode)的半导体装置。背景技术以往，具有包含所谓MOS结构的半导体开关的半导体装置已被普遍认知。在这样的半导体装置中，设置有齐纳二极管来用于过电压保护。而齐纳二极管通常被设置为N型半导体层与P型半导体层相邻配置的结构。例如，当半导体开关为绝缘栅极双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor：IGBT)时，在集电极与栅电极之间设置有第一齐纳二极管，而在栅电极与发射极之间设置有第二...
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