技术编号：15308491
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体涉及集成电路，并且更具体地涉及集成电路中的场效应晶体管。背景技术一些集成电路包含具有漂移区的场效应晶体管(FET)以使其能够进行较高电压操作。随着这些集成电路被缩放以用于下一代产品，存在的一个需求是增加这些FET的开关频率以减小外部无源部件(诸如电感器)的尺寸，同时保持这些FET中的低功耗。这需要同时减小FET的开关寄生效应和开态比电阻(面积归一化的开态电阻)。为了能够在升高的漏极电压下进行操作，FET采用在高漏极电压条件下耗尽的漂移区，从而允许FET在开态期间阻断电压并同时支持传导。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。