技术编号:15308557
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及层叠体、使用该层叠体的半导体元件、使用该层叠体的电子电路和电气设备。背景技术肖特基势垒二极管是利用在载流子浓度充分高的肖特基金属与半导体的接合面上形成的电势势垒从而具有整流作用的二极管。例如,将金属的功函数设为n型半导体的功函数设为(此处,半导体的功函数定义为真空能级与费米能级之差)时,若使满足的关系的金属与半导体接触,则半导体的接触界面附近的电子移动至金属侧而使金属与半导体的费米能级一致,从而在半导体的接触界面形成耗尽区域,并且在金属-半导体界面形成电势势垒。这种情况下,形成金属侧为...
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