技术编号:15310021
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及图像传感器领域,尤其涉及高动态范围互补型金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,简称CMOS)图像传感器。背景技术双敏像素增加了图像传感器的动态范围,例如,可参见首次公开号为2008-99073的日本未审查专利申请。图1为现有技术的像素电路的电路图。图2为该像素电路排布在硅衬底表面上的俯视图。图3为该像素电路排布在硅衬底上的沿着图2中箭头的横截面图。各缩写的含义如下:PD:光电二极管,用于将光转化为信号电子;PD-L:高敏光电二...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。