技术编号:15313615
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料领域,特别涉及III-V族半导体纳米材料制备领域中一种利用应力调控实现纯相GaAs纳米线的制备方法。背景技术III-V族半导体纳米材料由于具有独特的物理性质并在纳米器件方面具有广阔的应用潜力,备受人们的关注。GaAs纳米线是一种较常见的III-V族半导体纳米材料,GaAs纳米线具有较高的电子迁移率,较高吸的收系数,具有直接带隙以及与Si具有很好的兼容性特点,被广泛的应用于光电器件和纳米光电子器件领域,如光电探测器、纳米激光器、太阳能电池、LED、场效应晶体管等。为实现GaAs...
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