技术编号：15320401
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及抛光技术领域，尤其是涉及抛光用压力缓冲垫及抛光装置。背景技术化学机械抛光(CMP)技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一，在集成电路制造过程的各阶段表面平整化工艺和大尺寸裸晶圆的表面抛光工艺中得到广泛应用。化学机械抛光的过程，主要是通过抛光垫、抛光液和所选的化学试剂的作用从晶片基板去除材料的过程。在这个过程中，抛光模板，压力盘，压力磨头，大盘等装置构成了抛光的主要场所，其中抛布贴在大盘上，抛光模板把晶圆压在抛布上面，随着抛头和大盘的旋转，晶圆表面在被抛光液作用后能够被抛布上的绒毛去...
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