技术编号:15347642
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体制造设备领域,具体涉及一种反应腔室内衬及反应腔室。背景技术对于半导体刻蚀工艺,需严格控制等离子反应腔室的多个参数以保证高质量的刻蚀结果。反应腔室内部结构对设备本身的工艺性能有着决定性的作用,其中反应腔室的高度是影响刻蚀结果的重要参数之一。首先,反应腔室的高度直接影响反应腔室的容积,随着高度的改变,腔室内等离子体浓度会随之发生变化;其次,反应腔室的高度还会影响等离子体源到晶片的作用距离。综合以上两方面因素,针对不同的配置机台、不同的工艺,设计人员往往通过调整腔室高度达到优化工艺...
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