技术编号:15347650
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型的实施例涉及一种基座以及包括该基座的半导体处理设备。背景技术集成电路制造中的硬掩模(Hardmask)工艺中,需要同时使用射频(RF)和直流(DC)电源以及高温的工艺环境,从而刻蚀靶材并且使得其沉积到基片上。在28nm工艺中,一般使用低频(如13MHz)和低气压RF即可满足工艺需求。目前随着集成电路制造产业的发展,14/16nm工艺也逐渐走上了历史的舞台,在硬掩模领域中,成膜需要更大的密度,因此,不得不引进甚高频(如60MHz)和高气压以及更高的工艺温度来满足工艺需求,而且需要在基座上...
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