技术编号:15347668
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体外延技术领域,具体而言,涉及一种AlN外延层以及AlGaN光电器件。背景技术近年来,由于具备直接带隙、禁带宽且可调、耐高温、抗辐射等众多优势,AlGaN材料在光电器件和电子器件领域展现出广阔的应用前景。从生长应变和光透过率的角度考虑,要想制备高质量的AlGaN材料及相关器件,采用AlN同质衬底和AlN/蓝宝石模版衬底是较为理想的选择。现有技术中,由于缺少低成本、高质量、大尺寸的AlN单晶衬底,相比于AlN同质衬底来说,在廉价成熟的蓝宝石衬底上生长AlN模版是该领域的主流技术路...
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