技术编号:15353888
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力电子技术领域,特别是涉及一种绝缘栅双极型晶体管器件及其制作方法、电力电子设备。背景技术在电力电子领域,绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)是最具代表性的功率器件。绝缘栅双极型晶体管是由双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor,BJT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOS)组成的复合全控型电压...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。