技术编号:15353933
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜晶体管技术领域,具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。背景技术薄膜晶体管(TFT)是显示装置的阵列基板中常用的电子元件,其分为共面型,背沟道刻蚀型、刻蚀阻挡型等形式。如图1所示,在刻蚀阻挡型的薄膜晶体管中,栅极1位于有源区3下方,并通过栅绝缘层2与有源区3隔开,有源区3被刻蚀阻挡层4(ESL,Etch Stop Layer)覆盖,源极51和漏极52均分别通过刻蚀阻挡层4中的过孔与有源区3的顶面连接。由于刻蚀阻挡层4可保护有源区3不受源漏极刻蚀液的影响,且能起到阻隔...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。