技术编号：15362306
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是微电子器件的关键部件。随着技术改进，源极至漏极沟道长度的减少已经显著增强了功耗以及开关速度。然而，短沟道效应例如热载流子传输可能导致晶体管的低开/关比以及不饱和输出电流。另外，需要高分辨率图案化的工艺来限定这样的短沟道长度，这可能显著增加制造成本。发明内容一些方面提供了一种垂直场效应晶体管，其包括：第一电极；由导电材料的层形成的多孔导体层，在多孔导体层中设置有延伸穿过导电材料的多个孔；在第一电极与多孔导体层之间的介电层；与多孔导体层接触的电荷传输层；...
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