技术编号：15362332
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如用于大电流的控制的半导体装置。背景技术例如有搭载IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等，用于大电流的控制的半导体装置。如果上述半导体装置的内部配线使用了铝导线等配线材料，则无法充分地确保功率循环等的接合可靠性。在专利文献1中公开了如下内容，即，将元件与基板焊接，将引线端子直接与该元件焊接。该引线端子是延伸至装置的外部的外部电极。专利文献1：日本特开2015-162649号公报发明内容露出至半导体装置外部的电极即外部电极多数情况是通过模具等将...
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