技术编号:15392297
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶圆缺陷的检测方法。背景技术目前,现有的CMOS图像传感器的制造方法通常为:将一面形成有感光区域的器件晶圆与未形成有感光区域的底层晶圆经过磨边、CMP等工艺再进行键合成为一片CMOS晶圆,之后在CMOS晶圆上形成金属引线、彩色滤光片、微透镜、金属隔离栅等,最终形成完整的CMOS图像传感器。而在将所述器件晶圆与所述底层晶圆键合在一起的时候,容易产生灰边(chipping)和气泡(bubble)缺陷(defect),在晶圆的后续制程中,灰边缺陷可能导致CMOS晶...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。