技术编号:15392360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。2017年2月27日递交的日本专利申请No.2017-034702的公开内容(包括说明书、附图和摘要)通过引用全部并入本文。技术领域本发明涉及属于半导体器件制造方法和半导体器件的技术,并涉及例如有效地应用于属于半导体器件制造方法和半导体器件的技术的技术,所述半导体器件例如是在绝缘体上硅(SOI,Silicon On Insulator)衬底上布置的场效应晶体管。背景技术例如,在日本未审专利申请公开No.2014-236097中,描述了使得在绝缘体上硅衬底的半导体层上形成的外延层的外周部分伸出到与...
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