技术编号：15392373
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件抗辐射加固技术领域，具体涉及一种基于温度的CMOS工艺器件抗辐射加固方法，用于CMOS工艺器件抗总剂量的加固。背景技术工作在航天电子系统中的电子器件不可避免地遭受环境中粒子辐射的影响，从而造成电子器件性能退变，甚至功能失效，严重威胁着航天器工作的可靠性，因此电离总剂量效应是空间电子器件面临的重要问题。目前，空间电子器件抗总剂量的加固方法主要采用屏蔽加固和工艺加固两种方法，屏蔽加固方法通过对系统抗辐射性能弱的器件增加铅等屏蔽层，阻挡射线粒子对器件的辐照，但屏蔽加固对空间高能粒子...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。