半导体装置的制作方法技术资料下载

技术编号:15392389

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本发明涉及半导体装置。背景技术作为构成近年来的移动终端的高频放大器模块的晶体管,主要使用异质结双极晶体管(HBT)。公知在HBT的集电极-发射极间连接了静电破坏防止电路(保护电路)的半导体装置(专利文献1)。该保护电路由被相互串联连接起来的多个二极管构成。在先技术文献专利文献专利文献1:专利第4977313号公报构成保护电路的二极管被设计为满足以下条件:在通常功能的动作时不会导通,而在集电极-发射极间产生了超过所容许的电压的上限值的电压时导通。为了满足这一条件,作为保护电路能利用将8个以上的二极...
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