技术编号:15396160
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本专利申请是2017年2月28日提交的美国临时专利申请序列号62/464,680的非临时申请,该美国临时专利申请的全部内容通过引用并入本文。技术领域本发明涉及半导体器件生产中使用的化学机械平面化(“CMP”)抛光组合物(CMP浆料、CMP组合物或多种CMP组合物可互换使用),以及用于进行化学机械平面化的抛光方法。特别地,其涉及用于抛光包含硅的元素形式(elemental forms)(如多晶Si、非晶Si或Si-Ge)的膜的抛光组合物。背景技术含硅膜已经在半导体工业中长时间使用。已经采用许多方法...
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