技术编号:15401300
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及金属氧化物半导体场效应晶体管。背景技术存在一种具有如下结构的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),在其结构中p型浮区设置在n型漂移区内部。所述浮区设置成与沟槽的底面邻接。所述浮区经由例如沿着沟槽端面延伸的p型连接区而连接至体区。通过这一结构,促进漂移区的消耗,使得半导体器件的耐压性能够增加。通常,通过穿过沟槽的内表面的p型掺杂剂的离子注入而形成浮区。日本未审查专利申请公开号2005-116822描述了一种包含浮区的MOSFET,以及所述MOSFET的制造方法。发明内容据要求,根...
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