技术编号:15451901
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及薄膜晶体管的技术领域,特别是涉及一种薄膜晶体管及其制造方法。背景技术薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)是平板显示装置的重要组成部分。薄膜晶体管可形成在玻璃基板或塑料基板上,通常作为开关部件和驱动部件用在诸如LCD、OLED等平板显示装置上。其中,顶栅共平面结构的薄膜晶体管相较于传统结构的薄膜晶体管具有相对小的寄生电容,能够作为大尺寸OLED主要的功能器件。但是上述结构的薄膜晶体管在制造的过程中存在一定的缺陷,首先,存在栅极氧化的问题,即在栅极上表面沉积保护层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。