技术编号:15452061
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于三维集成电路领域,具体涉及一种运用环形硅通孔的高性能差分传输结构及其层间互连结构。背景技术作为三维集成电路的关键技术之一,硅通孔技术得到了广泛的研究。利用硅通孔技术,三维集成电路可以获得更高的集成度、更短的互连长度、更好的噪声抑制能力以及更低的能力损耗。但是随着信号频率的升高,硅通孔技术带来的信号完整性问题也日趋显著,主要体现在硅通孔之间的串扰和与衬底之间的电流泄漏。另一方面,在实际加工过程中,由于硅通孔中多种材料的热膨胀系数存在差异,热应力造成了硅通孔周围衬底载流子迁移率发生改变。为...
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