技术编号:15452067
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的制造方法,特别是涉及一种金属绝缘体金属元件(metal-insulator-metal device,MIM device)的制造方法。背景技术金属绝缘体金属元件是半导体元件中经常使用的构件,最常见的用途是用于金属绝缘体金属电容器。金属绝缘体金属元件为具有金属绝缘体金属结构的半导体构件。关于金属绝缘体金属元件的制造方法,请参照图1A,一般是于基底101上依序形成第一金属层102、绝缘层103及第二金属层104后,以图案化掩模层105作为掩模,并使用含碳的蚀刻气体(例如C...
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