技术编号:15452250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及场效应晶体管及其制作方法。背景技术基于对集成电路芯片高密度、高速度、低功耗的需求,集成电路越来越向高密度、高速度、低功耗方向发展,集成电路中的场效应晶体管的特征尺寸逐步缩小化。当场效应晶体管的特征尺寸减小到32nm以下时,传统的场效应晶体管的制作方法已不再适应,具有非平面结构的半导体器件得到广泛应用,如鳍型场效应晶体管(FinFET)、纳米线场效应晶体管(Nanowire FET,NWFET)。其中纳米线场效应晶体管是指沟道长度为纳米(nm)数量级的场效应晶体管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。