技术编号：15457818
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子技术领域，特别涉及一种调控钛酸钡单晶薄膜剩余极化与矫顽场的方法，可用于半导体器件的制备。背景技术铁电材料因为其具有良好的铁电性、介电性、热释电性、压电性、低工作电压、低损耗、声光电光效应以及与微电子器件良好的兼容性等特性已经成为目前材料研究的热点，应用十分广泛，如铁电存储器、铁电晶体管、热释电探测器等。钛酸钡就是一种典型的铁电材料，通常用剩余极化和矫顽场来表征材料的铁电性能。用连续多个大小不同的脉冲电压对钛酸钡进行极化，不同电压下钛酸钡具有不同的阻态，也就是具有忆阻器的功能，且具...
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