技术编号：15464208
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域，具体涉及一种多次图形化的方法。背景技术随着半导体技术的发展，硅半导体器件经历了平面MOS器件向三维MOS器件(FinFET)的发展转变，硅鳍(Fin)的特征尺寸在不断减小。在14nm这一代技术，硅鳍层图形的节距只有48nm，而未来7nm工艺代，硅鳍层的节距还将进一步缩小，而最先进的193i光刻机，加工这么小的节距的图形都无能为力。现有的FinFET工艺采用一种自对准二次图形化(self-align double patterning，SADP)的方法制作硅鳍层的图形...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。