技术编号:15464213
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种平面型VDMOS多晶栅极的形成方法,属于集成电路或分立器件制造技术领域。背景技术平面型VDMOS常规多晶栅极是由非掺杂的LPCVD工艺的多晶,然后进行离子注入掺杂或者炉管磷扩散掺杂进行掺杂,使其具有良好导电性,以形成栅极。离子注入掺杂均匀性好,工艺重复性高,但掺杂浓度受限,大剂量5E15以上的离子注入即使用大束流的机器作业时间也很长,而且也无法提供1E16剂量以上的注入浓度,使用离子注入多晶掺杂成本较高,对注入的产能要求较大。炉管磷扩散掺杂成本低,作业量大,可以实现高掺杂浓度,但工...
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