技术编号:15464230
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造技术领域,更具体地,涉及一种测量半导体鳍部粗糙度的方法。背景技术随着半导体工艺的不断发展,半导体工艺节点遵循摩尔定律的发展趋势不断减小。为了适应工艺节点的减小,不得不不断缩短MOSFET场效应管的沟道长度。沟道长度的缩短具有增加芯片的管芯密度,增加MOSFET场效应管的开关速度等好处。但随着器件沟道长度的缩短,器件的特征尺寸(CD:criticalDimension)也相应地下降,这很容易使得亚阈值漏电,即容易发生所谓的短沟道效应(SCE:short-channel eff...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。