技术编号：15464334
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种SOI晶圆的制备方法。背景技术绝缘体上硅(Silicon-On-Insulator，SOI)工艺以其良好的衬底隔离特性，在射频领域有着广阔的应用前景。以移动电话为代表的通讯机器，为追求将对应于相异通讯方式及相异频率的通讯功能予以一体化于同一机器内，并且对于更进一步的高功能化与小型化的需求更为显著地强烈，例如，有在半导体的单一芯片上构成：以进行数字或高频模拟等讯号处理的晶体管为代表的主动组件区块；以及以电阻或是电容或是传感器为代表的被动组件，所组合而成的电路...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。