技术编号:15464345
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种主动元件(有源元件)基板,且特别是涉及一种包括结晶金属氧化物层的主动元件基板及其制法。背景技术目前,背通道蚀刻型(Back-Channel Etch)的金属氧化物薄膜晶体管逐渐被许多公司所重视。背通道蚀刻型的金属氧化物薄膜晶体管具有光刻次数少、器件小型化、制造成本低等优点,有利于制造更高开口率的显示面板。在背通道蚀刻型金属氧化物薄膜晶体管的制作工艺中,金属形成于金属氧化物半导体通道层上,接着图案化金属以形成互相分离的源极与漏极。然而,在图案化金属时,金属氧化物半导体通道层相当容易因...
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