技术编号:15465835
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。对于具有缩放尺寸(scaled dimensions)的集成电路,接触至栅的短路成为越来越困难的问题。虽然通过接触孔形成自对准多晶硅化物的金属栅工艺可在减少这样的短路方面获益,但是增加接触至栅配准余量(registration margin)的接触工艺需要进一步减少该接触至栅的短路(shorts)至可制造级别。附图概述虽然说明书以权利要求结束,该权利要求特别地指出并清楚地要求被认为是本发明的权益,但当结合附图进行阅读时,根据本发明下面的描述,可更容易确定本发明的优点,其中附图:图1a-1g代表根...
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