技术编号:15480710
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及太阳能电池领域,特别涉及一种复合式透明导电膜和包括该复合式透明导电膜的异质结太阳能电池。背景技术异质结(Heterojunctionwith Intrinsic Thinfilm,HIT)太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池,其具有如下优点:①、结构对称,相比传统晶体硅电池,HIT电池的工艺步骤更少;②、低温工艺,其最高工艺温度不超过200℃;③、高开路电压,其Voc达到了750mV;④、温度特性好;⑤、光照稳定性好,HIT电池中没有发现Staebler...
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