技术编号：15492855
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅还原建模领域，尤其涉及一种多晶硅还原炉还原过程能耗预测方法、系统。背景技术多晶硅还原炉是多晶硅制备最耗能的设备，多晶硅沉积过程中每天都要消耗大量的电能，多晶硅还原炉的还原沉积生产过程是封闭的，不确定性的。在改良西门子法制备多晶硅工艺中，还原炉电源系统为硅棒自身电阻性发热提供能量，维持炉内发热表面温度于1100℃附近，SiHCl3和H2在硅杆表面发生持续性的气相沉积反应不断地沉积成晶体硅。晶体硅在生产过程中，硅棒直径从细变粗，电阻逐渐变小，所以要调节电源系统所供给的功率以满足还原炉...
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